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SiC碳化硅是一种高性能半导体材料，具有优异的机械性能、热学性能和化学稳定性，因此在半导体领域有着广泛的应用。其中，高纯度晶圆是SiC碳化硅制备过程中的关键材料之一，4H-半导体SiC晶圆是一种直径150毫米单晶的SiC单晶，具有高纯度和良好的晶体结构。制备SiC单晶需要先获得SiC晶体锭，而高纯度SiC是保证SiC晶圆质量的重要因素。晶圆定制是为了满足不同应用场景的需求，原切SiC晶圆则是指直接从SiC单晶中切割得到的晶圆。高纯度SiC单晶在硅碳化物基板领域有着重要的应用，SiC晶圆则是半导体制造过程中不可或缺的材料。SiC碳化硅的发展和应用为半导体工业带来了新的机遇和挑战，也推动了相关领域的发展和创新。

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